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本公司与氮化镓（以下称为GaN）供电装置市场领头羊Transphorm,Inc.（美国加利福尼亚州，以下称为Transphorm公司），就本公司独自拥有的GaN供电装置^{（注释1）}相关专利的独占实施权的许诺签订了合同，与此同时，还签订了本公司取得Transphorm公司股份的相关合同。

今后，本公司与Transphorm公司将构筑战略伙伴关系，致力于强化和打造两公司GaN供电装置相关的产品群。

此次的决定将成为“Furukawa ‘G’ plan 2015”（2015年中期经营计划）中全力推进的新一代业务开展活动的一环。本公司集团今后也会有效利用作为本公司优势的材料实力，力求实现公司的持续发展。

近年来，为实现新一代电源系统的小型化和高效化，导入GaN供电装置的必要性不断提高。而该技术预计可广泛用于从超小型AC适配器、高功率密度的PC、服务器及通信用电源等，到高效太阳能发电用功率调节器及机械控制系统等多个领域。

本公司独自拥有约150件（日本国内110件）相关专利，其中包括1990年代开始积累的、以硅上GaN晶体生长相关技术为中心的材料、生产方法、驱动电路等各方面专利。这些专利组合受到行业的高度评价。

而Transphorm公司则推出了全球首款通过JEDEC认证的600V GaN-HEMT^{（注释2）}产品等，作为行业领头羊深受好评。但是为了今后能够伴随GaN供电装置市场的急速发展而实现业务的不断扩大，需要尽早构筑强大的专利环境。

在上述背景下，本公司与Transphorm公司分别签订了向Transphorm公司许诺本公司独自拥有的GaN供电装置相关专利的独占实施权的合同，以及本公司取得Transphorm公司股份的相关合同。

通过以上举措，本公司可有效利用持有的专利，而Transphorm公司也为扩大GaN供电装置业务进一步强化了专利环境。今后，本公司与Transphorm公司将通过在研究开发领域进行合作等，来构筑战略伙伴关系，力求强化和打造两公司的相关产品群。