清水 均，熊田浩仁，内山誠治，粕川秋彦
概要
1.3 μm帯の光加入者用光源や面発光レーザとして期待される，GaAs基板上のGaInNAs系レーザの検討をガスソースMBE法により行った。GaInNAsにSbを微少量添加したGaInNAsSbレーザで，波長1.258 μmでの室温CW動作を達成した。GaInNAsを用いたレーザでは過去の報告例中，最も低いしきい値電流と同等であり，（12.4 mA@25℃），なおかつ，高特性温度（T0＝157 K）で，100℃以上の高温までCW発振した。この特性は，これまで報告されている端面出射型GaInNAs系レーザの中で最高の特性である。また，1.2 μm帯GaInAs系レーザも，これまでの過去の報告例中，最も低いしきい値電流（6.3 mA）で，なおかつ，高特性温度（T0＝256K）でCW発振した。GaInNAsSbレーザは，ペルチエフリーの光加入者用光源や面発光レーザ素子として非常に有望である。
全文（PDF 98KB）