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古河電工時報 第110号

FIBを用いた微細構造解析用試料調製技術

藪崎こずえ,佐々木宏和

概要

半導体デバイスの微細化が進みナノレベルでの評価が要求されるなか,最近ではTEMやAESの前処理としてFIB加工法を用いるケースが定着しつつある。FIB加工法は,従来のイオンミリング法と比較して試料作製が迅速に行える,機械研磨などによる試料の破損を防ぐ,また微小領域を確実に切り取ることが可能である等の利点がある。しかし,加工表面にダメージ層が形成される,分析時にイオン源のGaが多く検出される等様々な問題もある。このようなFIB加工の特徴を考慮したうえで,TEM観察やAES分析においてより良好なデータを得るためのFIB試料調製技術を考案した。


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