荒川智志，井藤光正，中崎竜介，粕川秋彦
概要
半導体結晶成長装置であるMOCVD法において，エッチング効果を有する四臭化炭素（CBr4）を供給することで，in-situエッチングとAl系材料の選択成長を実現した。エッチングでは，膜の材料により特性が大きく異なり，InPの供給律速の良好なエッチングから，Alを含むことによる完全なエッチング停止まで得られた。更に，続けて行った成長では，界面不純物の低減等，in-situエッチングの効果が確認できた。また，選択成長では，マスク上のポリの析出が完全に抑えられたとともに，良好な発光特性も得られ，デバイス応用への可能性を得た。
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