池田成明、李江、加藤一雄、賀屋秀介、風間敏明、古川拓也、佐藤義浩、岩見正之、野村剛彦、増田満、加藤禎宏
概要
低コスト化のための大口径Si基板上のGaNデバイスを開発するうえで肝となるエピタキシャル成長技術を検討した。高耐圧のため，バッファ耐圧を向上させる方策としてGaN層のカーボン濃度の制御を行い，カーボン濃度が耐圧に大きく寄与することを見出した。Si基板上AlGaN/GaN-HFET構造において素子性能を評価した結果，サファイア基板上と同等以上の性能を得ることができた。パワーデバイスとしてのポテンシャルを確認するために作製した比較的大きなサイズの素子においては，120A以上の電流と1.3kVの破壊電圧を持つ素子が実現できた。一方GaN-HFET素子において問題になる電流コラプスについては，Si基板上のHFET 構造の場合サファイア基板上と比較して大幅に改善が見られ，900Vまで電流コラプスが顕著に起こらない高性能な素子を創出した。
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