ニュースリリース

近年、スマートフォン、クラウドコンピューティング、動画配信、ソーシャルネットワークの普及などにより、通信基幹網及びデータセンタ間での通信トラフィックが世界的に増加しています。このようなトラフィック増加に対応するため、光デジタルコヒーレント^（注2）方式による100Gbps/200Gbps の大容量伝送システムの導入が進んできました。
当社は、光デジタルコヒーレント方式の信号光および局発光^（注3）用に優れた特性を発揮する小型ITLAを製品化していますが、通信トラフィックは加速度的な増加が続いており、市場及び顧客からは400Gbps 超、更には1Tbps を超える大容量化に対応するため、ITLA の更なる狭線幅・高出力化が望まれていました。

このたび当社は、長年培ってきたInP (Indium Phosphide)半導体チップ技術により、独自の回折格子構造を持つレーザーアレイと低損失光カプラーをモノリシック集積し、世界トップレベルの高出力化と狭線幅化を同時に実現した「狭線幅・高出力 小型ITLA」の開発に成功しました。

この高出力・狭線幅化は、当社の持つ高精度パッケージング技術により消費電力など他の特性を損なわずに、従来と同等以下のパッケージサイズで実現しました。コマンドインターフェースはOIF^（注4）で標準化されている規格に対応しており、光通信機器へ容易に導入頂けます。