新山勇樹、品川達志、大友晋哉、神林宏、野村剛彦、加藤禎宏
概要
自動車や家電用電源回路に組込むパワートランジスタを開発した。半導体材料としてシリコン（Si）に比べて絶縁破壊電界が高く，飽和速度が高い特徴を有する窒化ガリウム（GaN）を用いた。パワートランジスタは，システムの安全面からノーマリオフ動作（ゲート電圧を印加しなければ電流が流れない）が要求されているため，金属／酸化膜SiO2 ／半導体GaNのMOS（metal-oxidesemiconductor）構造を採用した。SiO2/GaNの界面品質を向上させ，金属とGaNの接触抵抗を低減することにより，GaN系MOSFETの高温かつ高出力動作を実現した。しきい値電圧は+3V，耐圧は1550V以上，電流は2.2A 以上，最大動作温度は250℃であった。
全文（PDF 675KB）