池田成明、李江、加藤禎宏、増田満、吉田清輝
概要
GaN系電子デバイスは，従来のSi系電子デバイスと比較し，高耐圧，低オン抵抗が実現できる可能性があり，電源の高効率化，小型化に大きく貢献するものと期待されている。我々は，GaN/AlGaN HFET（heterojunction field effect transistor）構造において，AlGaN層を薄層化し，AlN層を挿入することによって，比較的低オン抵抗でありながら高耐圧のノーマリオフ型デバイスを検討した。電源デバイスに要求される低コスト化を目指したSi基板上AlGaN/GaNヘテロエピを用いて，しきい値が0Vであるノーマリオフ動作を実現した。
また，低損失化が可能な独自のダイオード構造を新規に提案し，ほぼ0Vから電流が流れ始めるという，低オン電圧化を確認した。この構造にAlGaN薄層化構造のエピを適用し，低リーク電流でかつ，低オン電圧動作するダイオードを実現した。
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