電子線ホログラフィによる化合物半導体のキャリア分布の観察

佐々木宏和、大友晋也、松田竹善、石井宏辰

概要

電子線ホログラフィを用いると，半導体のキャリア分布を観察できることが広く知られており，Si半導体については多くの研究例がある。本研究では，化合物半導体のキャリア分布を観察することを目的として，試料作製及び観察手法の最適化を行った。GaAsの半導体について，pn接合が明瞭に観察できるとともに，n＋層とn－層も明瞭に判別できることに成功した。この手法は，半導体レーザなどの半導体製品に応用可能であり，特性及び信頼性の向上に寄与できる手法である。

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