半導体光増幅器を内蔵した変調器集積型半導体レーザを開発
～ 従来比2倍の50G Baud高光出力と低消費電力の両立を実現 ～
- 変調器集積型半導体レーザ（EML）「FOL13EBxCS」を開発し、1月よりサンプル出荷を開始
- 半導体光増幅器（SOA）を集積することで、従来比2倍の50G Baud高光出力を実現
- 高光出力と低消費電力の両立により、5Gの実用化を支える光通信網の構築に貢献
古河電気工業株式会社（本社：東京都千代田区丸の内2丁目2番3号、代表取締役社長：小林敬一）は、半導体光増幅器（SOA：Semiconductor Optical Amplifier）を内蔵した50G Baud高光出力の変調器集積型半導体レーザ（EML：Electro-absorption Modulated Laser）「FOL13EBxCS」を開発し、本年1月よりサンプル出荷を開始しました。
背景
携帯電話用5G網の整備により高速・大容量化されたクラウドサービスの普及が進み、ネットワークエッジでの伝送容量増加にともない、短中距離通信の信号用光源の需要が増大しています。EMLは、信号波形と高速動作に優れ、100Gbps以上の中距離（10km～）通信用光源として広く使われており、長延化や大容量伝送への対応のために高光出力化のニーズが高まるとともに、消費電力の抑制との両立が求められています。
内容
本製品は、通常のEMLにSOAを集積することで通常のEMLと同等の消費電力で約2倍の光出力を実現しました。通常のEMLでは、レーザへの注入電流を増やすことで光出力を増加させるため、光出力に比例して消費電力も増加しますが、高効率に光出力を増加させることができるSOAを集積することで高光出力と低消費電力の両立を可能にしました。
本製品を100G～400Gイーサネット、次世代高速PONシステムなどに適用することで、メトロ・アクセスネットワークの長延化の実現が期待できます。
当社は、従来のロングホール／メトロ向け光源（中長距離用）だけではなく、データセンタおよびアクセス系ネットワーク用光源（本製品含む短中距離用）まで含めて、広範囲の光ネットワーク階層に対応していきます。
| 項目 | 仕様値 | 単位 | 条件 |
|---|---|---|---|
| 動作温度 | 55 | ℃ | |
| LD動作電流 | <80 | ｍA | |
| SOA動作電流 | <80 | ｍA | |
| EAMバイアス電圧 | -1.5～0 | V | 50Gbps, NRZ |
| 消光比 | >4 | dB | 50Gbps, NRZ |
| 光出力 | >12 | dBm | CW, EAMバイアス電圧=0V |
| 波長 |
O-band、LAN-WDM対応 |
|
|
提供形態：Chip on Submount
なお、2023年3月7日～9日に米国サンディエゴで開催される「OFC 2023」で本製品を展示（OFS Fitel, LLCブース内・ブース番号3229）します。
古河電工グループのSDGsへの取り組み
当社グループは、国連で採択された「持続可能な開発目標（SDGs）」を念頭に置き、2030年をターゲットとした「古河電工グループ ビジョン2030」を策定して、「地球環境を守り、安全・安心・快適な生活を実現するため、情報/エネルギー/モビリティが融合した社会基盤を創る。」に向けた取り組みを進めています。ビジョン2030の達成に向けて、中長期的な企業価値向上を目指すESG経営をOpen，Agile，Innovativeに推進し、SDGsの達成に貢献します。
ニュースリリースに記載されている情報は、発表日現在のものです。仕様、価格、サービス内容などの情報は予告無しに変更される場合があります。あらかじめご了承ください。
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