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ニュースリリース

米Transphorm, Inc.と知財ライセンス契約を締結
〜GaNパワーデバイスの業界リーダーと戦略的パートナーシップを構築〜

2014年5月14日

当社は、窒化ガリウム(以下 GaN)パワーデバイス市場のリーダーであるTransphorm, Inc.(アメリカ合衆国カリフォルニア州以下、Transphorm社)と、GaNパワーデバイス(注1)に関連する当社単独保有特許の独占的通常実施権の許諾に関する契約を結ぶ一方、当社によるTransphorm社株式の取得に関する契約を締結しました。

今後、当社とTransphorm社は戦略的なパートナーシップを構築し、両社のGaNパワーデバイスに関連する製品群の強化、育成を図ります。

今回の決定は、「Furukawa “G” plan 2015」(2015年度中期経営計画)にて取り組んでいる次世代新事業育成活動の一環となります。当社グループは、今後も当社の強みである素材力を活かし、持続的な成長を目指して参ります。

背景

近年、次世代電源システムにおける小型・効率化のためのGaNパワーデバイス導入の必要性が高まっています。この技術は、超小型ACアダプタ、高パワー密度のPC、サーバーや通信用電源などから、高効率太陽光発電用パワーコンディショナや機器制御システムにまで多岐に広がるとみられています。

当社は、1990年代より培ってきたシリコン上へのGaN結晶成長に関する技術を中心とした材料、製法、駆動回路などを含む約150件(国内110件)の関連特許を単独で保有しており、その特許ポートフォリオは業界でも高く評価されています。

一方、Transphorm社は、世界初のJEDEC認証済み600V級GaN-HEMT(注2)製品をリリースするなど、業界のリーダーとして評価されていますが、今後のGaNパワーデバイス市場の急速な成長に伴う事業拡大に備え、早急に強力な特許環境を築く必要がありました。

概要

こうした中、当社とTransphorm社は、当社が単独で保有するGaNパワーデバイス関連特許の独占的通常実施権をTransphorm社に許諾する契約と当社によるTransphorm社株式の取得に関する契約を、それぞれ締結しました。

これにより、当社は保有特許の有効活用を図ることが可能となり、Transphorm社はGaNパワーデバイス事業拡大に向けて特許環境がさらに強固になります。今後も当社とTransphorm 社は、研究開発分野のコラボレーションを図るなど、戦略的なパートナーシップを構築し、両社の関連製品群の強化、育成を図ります。

Transphorm社の概要

商号 Transphorm, Inc.
URL 新しいウィンドウを開きます。http://www.transphormusa.com/
本社 アメリカ合衆国カリフォルニア州
設立 2007年(UCSB教授:Umesh Mishra(現CTO)とPrimit Parikh(現President)による)
代表者 江坂 文秀(CEO)

(注1)GaN パワーデバイス:
ワイドバンドギャップ材料であるGaNを用いたパワーデバイス。シリコンを用いたデバイスと比較して素子の小型化、高効率化などにメリットが見込まれる。同じワイドバンドギャップ材料とされるSiC(シリコンカーバイド)と比較して、安価なシリコン基板上にGaN デバイスを形成できることから、幅広い応用が見込まれる。本文に戻る

(注2)GaN-HEMT(High Electron Mobility Transistor):
導電層にAlGaN/GaN界面に発生する2次元電子ガスを利用したトランジスタ。低いデバイス抵抗と高い素子耐圧を両立することができる構造。本文に戻る

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