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DGTSEU2-MP

平滑な光沢面に粗化処理を施すことで、ローコストながら高周波特性に優れております。(台湾製)

特長

電解ドラム面の平滑化により、これまでのRTFより優れた高周波特性を有しています。

代表的な用途

ルーター・サーバー等の情報通信機器

仕様

DGTSEU2-MP

箔厚 [µm]	12	18	35
引張強さ [MPa]	340	320	300
伸び [%]	9	12	20
表面粗さRz [µm]	3

用途別銅箔一覧

用途	品種	プロファイル	製造拠点	厚み(μm)
用途	品種	プロファイル	製造拠点	6	9	12	18	35	70	105～
高周波基板	DGTSEU2-MP	RTF	台湾			○	○	○
	FT2-UP	VLP	台湾				○	○
	FT1-UP	H-VLP	台湾				○	○
	FV/FHG-WS	H-VLP	日本			○	○	○
	FZ-WS	H-VLP2	日本			○	○	○
フレキシブルプリント基板	F2-WS	VLP	日本		○	○	○	○
	F3-WS	VLP	日本			○			○
	FWL-WS	VLP	日本			○	○
パッケージ基板	GTS-MP	一般箔	台湾			○	○	○	○
	F3-WS	VLP	日本			○			○
	DF-TSH	VLP	日本	○	○
高密度多層基板	GTS-MP	一般箔	台湾			○	○	○	○
高密度多層基板	DF-TSH	VLP	日本	○	○
大電流基板	GTS-STD	一般箔	日本							○(～210μm)

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