古河電工時報 第134号 電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いた半導体レーザの解析

佐々木宏和、大友晋哉、湊龍一郎、吉田順自

透過型電子顕微鏡の手法の一つである電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いて、GaAs（ガリウムヒ素）のモデル試料の観察と半導体レーザの解析を行った。電子線ホログラフィ観察では、pn接合のみならず、異なるドーパント濃度領域である1×10¹⁹と1×10¹⁸cm^-3の界面と1×10¹⁸と1×10¹⁷cm^-3の界面を観察することができた。また、半導体レーザの解析事例について紹介し、これらの手法が実用的に用いられていることを示した。