古河電工時報 第134号 高出力AlGaInAs/InP広帯域波長可変レーザの開発

岩井則広、若葉昌布、清田和明、黒部立郎、小林剛、木本竜也、鍛治栄作、小早川将子、向原智一、横内則之、粕川秋彦

近年、光通信に用いられる光部品には低消費電力化が求められている。波長の精密制御のために温調部品を用いる信号光源モジュールにおいては、レーザチップの使用温度範囲を従来に比べて上昇させるセミクールド動作は、低消費電力のために有用である。この場合レーザチップは高温で優れた特性を示すことが要求されるため、高温動作に有利なAlGaInAs系材料を信号光源の活性層に用いることは低消費電力化において有望な技術である。一方、光集積素子（PIC:Photonic Integrated Circuit）は、次世代の光通信システムにおいて、小型かつ低消費電力を実現するためのキーテクノロジーである。今回我々は、高機能PICの実現に向け、1550nm帯AlGaInAs埋込ヘテロ型（BH:Burred Hetero）レーザの開発を行い、更にAlGaInAs/InP系では初めてとなる、12チャネルDFB（Distributed feedback）レーザアレイと半導体光増幅器（SOA）を集積した1550nm帯波長可変レーザを作製したので報告する。