古河電工時報 第140号高出力青色レーザダイオードの開発

日亜化学工業株式会社主席研究員　長濱 慎一

青色レーザのレーザ加工への応用を目的に，GaN系青色半導体レーザの高出力化の開発を行った。既存のディスプレイ用GaN半導体レーザの技術知見を基に，素子構造の最適化，新規パッケージによる低熱抵抗化を行うことで，GaN系青色半導体レーザにおいて1 エミッタのレーザ1素子当たりの光出力として世界最高値である，11.2 Wの高出力化を達成した。加えて各種信頼性評価を行った結果，開発した青色半導体レーザは非常に高い光出力の安定性と低い故障率が期待でき，レーザ加工用光源として十分実用に耐えうるデバイスであることを確認した。