佐々木宏和、埋橋淳、松田竹善、大久保忠勝
概要
3次元アトムプローブを用いて化合物半導体中のドーパント及び銅合金の析出相の解析を行った。半導体解析において,本手法を活用すれば,ナノスケールでドーパント分布を可視化することが可能である。また,銅合金の解析においては,数ナノメートルの析出相の形状,大きさ,組成を3次元で解析することができる。
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3次元アトムプローブを用いて化合物半導体中のドーパント及び銅合金の析出相の解析を行った。半導体解析において,本手法を活用すれば,ナノスケールでドーパント分布を可視化することが可能である。また,銅合金の解析においては,数ナノメートルの析出相の形状,大きさ,組成を3次元で解析することができる。
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